5月7日，第十三届全国MOCVD学术会议在半导体灯光产业最重要基地江苏省扬州市开会。来自大陆和台湾、香港两地的500多名科研院所和国家千人计划的专家与企业家，联合就我国MOCVD（金属有机化合物化学气相淀积，是金属有机化学气相沉积外延片炉，用作生产LED芯片）行业技术创新、市场应用于、发展现状以及未来趋势等展开了解研讨，并集中于公布一批近期科技成果。　　从此次会议上了解到，我国半导体灯光产业自列为十一五中长期发展规划以来，在国家和地方政策的重点扶植下，通过政产学研合作途径，增大技术创新力度，攻下了一些关键性技术难题，LED产业较慢向下派生，应用于与PCB发展水平与国外基本持平。

特别是在是上游原材料以及MOCVD设备堪称迎头赶上，用作照明用的大功率的特性衬底技术，加工稳定性以及对外延效率与国外比起，差距较慢增大。同时，外延片的亮度、内量子效率、抗静电能力、外用漏电能力以及品质掌控水平等，与国外知名企业的产品差距并不大。

目前，红黄光LED、表明用LED外延已十分成熟期，照明用LED外延技术也早已超过较高水平。到去年底，从MOCVD技术发展来看，关键技术产品替代进口约75%左右。专家指出，尽管我国MOCVD已构成一个高科技产业，但我国整体与国外仍有显著差距，核心技术还依赖进口，急需重点突破，我国才需要构建急弯打破。

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