国内LED关键设备MOCVD如何实现“弯道超越”?
栏目:行业动态 发布时间:2022-10-29 00:23
本文摘要:5月7日,第十三届全国MOCVD学术会议在半导体灯光产业最重要基地江苏省扬州市开会。来自大陆和台湾、香港两地的500多名科研院所和国家千人计划的专家与企业家,联合就我国MOCVD(金属有机化合物化学气相淀积,是金属有机化学气相沉积外延片炉,用作生产LED芯片)行业技术创新、市场应用于、发展现状以及未来趋势等展开了解研讨,并集中于公布一批近期科技成果。

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5月7日,第十三届全国MOCVD学术会议在半导体灯光产业最重要基地江苏省扬州市开会。来自大陆和台湾、香港两地的500多名科研院所和国家千人计划的专家与企业家,联合就我国MOCVD(金属有机化合物化学气相淀积,是金属有机化学气相沉积外延片炉,用作生产LED芯片)行业技术创新、市场应用于、发展现状以及未来趋势等展开了解研讨,并集中于公布一批近期科技成果。  从此次会议上了解到,我国半导体灯光产业自列为十一五中长期发展规划以来,在国家和地方政策的重点扶植下,通过政产学研合作途径,增大技术创新力度,攻下了一些关键性技术难题,LED产业较慢向下派生,应用于与PCB发展水平与国外基本持平。

特别是在是上游原材料以及MOCVD设备堪称迎头赶上,用作照明用的大功率的特性衬底技术,加工稳定性以及对外延效率与国外比起,差距较慢增大。同时,外延片的亮度、内量子效率、抗静电能力、外用漏电能力以及品质掌控水平等,与国外知名企业的产品差距并不大。

目前,红黄光LED、表明用LED外延已十分成熟期,照明用LED外延技术也早已超过较高水平。到去年底,从MOCVD技术发展来看,关键技术产品替代进口约75%左右。专家指出,尽管我国MOCVD已构成一个高科技产业,但我国整体与国外仍有显著差距,核心技术还依赖进口,急需重点突破,我国才需要构建急弯打破。


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